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DRAM BU

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DDR4 8Gb 商業級與工業級記憶體顆粒

符合 JEDEC 標準的高規格 DDR4 8Gb SDRAM 晶片 ,陣容涵蓋成熟穩定的 C-Die 與全新高效能的 H-Die 解決方案 。全系列採用先進的 8n Prefetch 架構 ,具備高頻寬、低工作電壓與卓越的訊號完整性 。

我們不僅提供標準商業級產品,更針對極端環境推出工業級 (-I)與工業級寬溫 (-U)規格 ,靈活滿足高密度伺服器、網通設備、工業電腦(IPC)、車載電子及高效能消費性電子的嚴苛要求。

  • 頂級訊號與資料完整性: 支援寫入 CRC 錯誤檢測(Write CRC)、命令/位址奇偶校驗(Command/Address Parity),確保高速傳輸零出錯 。
  • 極致省電節能設計: 核心與 I/O 電壓僅 1.2V ,搭配最大節能模式(Maximum Power Saving)與溫度控制自動自我刷新(LPASR),大幅降低發熱量 。
  • 國際綠色環保認證: 全系列符合 RoHS 無鉛標準與無鹵素(Halogen-Free)要求,且全面禁用 TSCA 列管之 5PBT 物質 。

選型指南|Selection Guide

規格項目

C-Die

H-Die
 
  • 2048Mb X4
  • 1024Mb X8
  • 512Mb   X16
  • 2048Mb X4
  • 1024Mb X8
  • 512Mb   X16
最高資料傳輸率 2666 Mbps / 3200 Mbps 2666 Mbps / 3200 Mbps
支援時序 CL19-19-19 / CL22-22-22 CL19-19-19 / CL22-22-22
封裝尺寸
  • 78-Ball TFBGA (7.5X12.0 mm)
  • 96-Ball TFBGA (7.5X13.0 mm)
  • 78-Ball TFBGA
    (7.5X10.5 mm)
  • 96-Ball TFBGA
    (7.5X13.0 mm)
產品核心優勢 供應鏈成熟穩定、性價比極高。 封裝尺寸更優化、高溫環境下資料留存與刷新表現更佳 。

 

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